半导体外延炉工作原理:
1、反应气体从钟罩顶部气体入口处进入反应室，从排成一圈的六个石英喷嘴喷出，经石英挡板阻挡，沿
基座与钟罩之间向下，在高温下反应而在硅片表面沉积生长，反应尾气在下部排出。
2、温度分布2061加热原理:感应线圈内通过高频大电流，制造涡旋磁场。基座是导体，处于涡旋磁场
中，产生感生电流，电流加热基座。
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作者： 点击：105 发布时间：2025-03-10
半导体外延炉工作原理:
1、反应气体从钟罩顶部气体入口处进入反应室，从排成一圈的六个石英喷嘴喷出，经石英挡板阻挡，沿
基座与钟罩之间向下，在高温下反应而在硅片表面沉积生长，反应尾气在下部排出。
2、温度分布2061加热原理:感应线圈内通过高频大电流，制造涡旋磁场。基座是导体，处于涡旋磁场
中，产生感生电流，电流加热基座。
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