主要用途：
半导体外延炉主要用于化合物半导体器件制造过程中外延膜的液相外延生长，是光电子器件研制、生产中的关键工艺装备。
技术特点：
自动化程度高，除装片、取片外，整个工艺过程均由工业计算机控制自动完成。
工艺操作可由机械手完成。
机械手运动定位精度小于0.1mm。
炉温稳定、重复性好，恒温区精度优于±0.5℃，降温速率在0.1～6℃/min范围内可调节，降温过程中恒温区平坦度佳，斜率线性度好。
冷却功能完善。
保护功能周全可靠。
设备可靠性高，工艺重复性好。
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