半导体外延炉常用汽体依据外延性加工工艺种类（如液相外延性、分子束外延性等）及目标材料的不同略有不同，但主要分载气、反映源汽体、夹杂汽体等辅助汽体四大类。以下属于实际分类及典型性汽体实例：
一、载气（Carrier Gas）
功效：稀释液反映源汽体、调整化学反应速率、保持反映内腔工作压力平稳。
典型性汽体：
H2（H₂）：广泛使用载气，兼顾氧化性，能防止基板空气氧化，同时促进气相反应（如SiHCl₃溶解）。
N2（N₂）：可塑性载气，用于H2敏感加工工艺（如一些化合物半导体外延性）。
氩气瓶（Ar）：极高纯稀有气体，用以分子束外延性（MBE）等都需要非常高真空值工艺。
二、反映源汽体（Source Gases）
功效：给予外延生长所需要的分子或分子结构，根据化学变化或物理学堆积产生单晶体层。
典型性汽体：
硅基外延性：
硅烷（SiH₄）：超低温外延性常见，热分解温度低（约400℃），但安全系数要求严格。
三氯氢硅（SiHCl₃）：持续高温外延性（800-1200℃）流行汽体，溶解形成硅原子和氯化氢气体（HCl）。
二氯硅烷（SiH₂Cl₂）：处于SiH₄和SiHCl₃中间，适用中等水平环境温度加工工艺。
化合物半导体外延性：
砷化氢（AsH₃）：用以生长发育GaAs（GaAs）等Ⅲ-Ⅴ族物质。
磷化氢（PH₃）：用以磷化镓（GaP）或磷化铟（InP）外延性。
二氧化氮（NH₃）：和金属有机化学源（如TMGa）反应生成氮化镓（GaN）。
合金有机化学源（MO源）：如三甲基镓（TMGa）、三甲基铝（TMAl），用以金属材料有机化学干法刻蚀（MOCVD）。
三、夹杂汽体（Dopant Gases）
功效：引进残渣分子，管控外延层的热学使用性能（如导电性种类、电阻）。
典型性汽体：
n型夹杂：
磷化氢（PH₃）：用以硅或化合物半导体中引入磷（P）残渣。
砷化氢（AsH₃）：用以浓度较高的n型夹杂（如GaAs外延性）。
p型夹杂：
乙硼烷（B₂H₆）：用以硅中引入硼（B）残渣。
二甲基锌（DMZn）：用以GaN中引入镁（Mg）等p型残渣（需活性解决）。
四、协助汽体（Auxiliary Gases）
功效：优化设计方案标准（如离子注入、清理、处理等）。
典型性汽体：
氢气（Cl₂）：用以原点离子注入基板高温氧化层或缺点。
O2（O₂）：与H2混和形成水蒸汽，用以二氧化硅层生长发育或清洗。
氮气（He）：用以MBE制造过程中制冷分子束源或检验漏率。
五、汽体挑选的重要因素
加工工艺种类：液相外延性（CVD）需持续高温反映汽体，MBE则依靠高纯分子束。
原材料管理体系：硅基、Ⅲ-Ⅴ族或Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体对汽体类型要求不一样。
安全系数：可燃性气体（如SiH₄、PH₃）需严格监管储存和输送设备。
纯净度规定：外延层品质对汽体纯净度比较敏感，一般需达到9N（99.9999999%）之上。
