半导体外延炉的核心部件详细介绍

半导体外延炉是半导体设备中获得原材料外延生长的核心设备，并通过控制温度、气氛和气体压力等数据，在衬底上堆积半导体器件，建立与基板晶相符的层析结晶。
1.反应室：
构造：分成平移式和立柱式，立柱式又可分为平台式和桶式。立柱式外延性炉底座可旋转，均匀度好，总产量大。
原材料：一般采用高纯石英或不锈钢，内部结构摆放煅后石油焦底座，表层覆盖SiC或堆积光伏电池膜，以确保外延层品质。
2.加热装置：
基本原理：运用高频加热设备或辐射传热加温，使底座温度超过堆积需要范畴（一般600-1400℃）。
特性：高频加热设备根据涡流电磁场造成感应电流，传热效率高；辐射传热加热均匀性强，但能源消耗比较大。
3.液相自动控制系统：
作用：控制反映汽体（如氯硅烷、H2）的流量占比，保证堆积全过程的稳定。
构成：包含质量流量控制器、汽体切换阀、喷头等。
4.排放系统：
作用：及时排出反映废气，防治污染反应室。
构成：包含机械泵、尾气处理装置等。