怎样提高半导体外延炉的速率？

提升半导体外延炉的速率可以从提升汽体化学与设备工艺、改进反应室环境和温控、提升转动系统和气体压力等方面进行，以下是简单介绍：
1.提升汽体化学与设备工艺
引进TCS取代传统气动阀门：在氮化硅外延性中，TCS可让生长速度提升到传统式SiH₄工艺技术10倍左右，与此同时明显降低硅滴缺点，需配合H2稀释液（典型性占比1:5~1:10）避免不良反应产生。
微波射频低温等离子协助CVD：激起气体电离，减少反应活化能，硅外延性速度提高200%。
多区温度控制系统：梯度方向加温降低内应力，容许生长发育温度下降50℃，提高速度。
2.改进反应室环境和温控
汽体通道结构调整：选用圆孔板气体分布器，使气体根据小圆孔匀称蔓延到反映地区，确保外延性生长期各个地方反应机理一致，避免因汽体发展不平衡所导致的晶体结构参杂和缺点。
反应室形状内部结构势流提升：根据计算机控制流体力学技术性，剖析气体在反映室内流动性特点，调节反应室构造，使气体流动性更加平稳，降低气体涡旋和滞流地区，进而提升外延生长的均匀度，减少缺点造成概率。
反应室材料种类：采用采用特殊镀层处理的石英石或氮化硅材料反应室，各种材料不但能承受高温环境反映汽体侵蚀，还能够降低杂质释放出来，避免因为反应室原材料引进残渣而造成外延性膜缺点。
反应室清洗预备处理：在每次用前，选用高温烘烤、化学水处理等方式清除反映房间内残余的杂质污染物质，确保反映环境中的纯粹，为高质量外延生长发挥特长。
多区加热技术：在反应室周边设置多个独立控制的加热区，根据调整每一个加温区域输出功率，使反映房间内不同位置的温度分布更加均匀。比如，在平移式反应室中，可以从反应室的前面、中档与后端分别设置加温区，依据环境温度统计数据实时调整各加温区域输出功率，确保整个反映区域内的温度偏差保持在很小范围之内，避免因为温度场所导致的晶体结构变化异常和缺点产生。
发热元件规划布局结构调整：选用更高效的电加热管盘绕方式或应用新式的加热原材料，如高纯石墨加温体等，提升传热效率和温度均匀性。与此同时，在发热元件与反应室之间设置隔热板，降低热量散失和导热不均匀产生的影响，进一步提升温控的精度。
高精密温度感应器与控制系统：配置高性能的温度感应器，实时检测反映室内温度转变，同时将环境温度数据信号发送给自动控制系统。采用先进环境温度控制系统，依据温度偏差调整加热功率，使反应温度能够迅速、平稳地做到预设值，并维持在很小的波动幅度内。